Micron Technology
IC FLASH 6T PARALLEL 333MHZ (MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR)
Part Number: MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Documents / Media: datasheets MT29E6T08ETHBBM5-3ES:B TR
Технические характеристики:
- Упаковка: Tape & Reel (TR)
- Серия: -
- Состояние детали: Active
- Тип памяти: Non-Volatile
- Тип памяти: Flash
- Технология: FLASH - NAND
- Объем памяти: 6Tb (768G x 8)
- Скорость: 333MHz
- Write Cycle Time - Word, Page: -
- Время доступа: -
- Memory Interface: Parallel
- Напряжение питания: 2.5 V ~ 3.6 V
- Рабочая температура: 0°C ~ 70°C (TA)
- Вид монтажа: -
- Корпус: -
- Исполнение корпуса: -
Цена по запросу